陶瓷基板用技术不同命名有七大种类，今天小编就来详细阐述一下这个七大技术的原理，制备原理、工艺流程、技术特点和具体应用以及发展趋势。

　　第一代半导体以硅 (Si)、锗 (Ge) 材料为代表，主要应用在数据运算领域，奠定了微电子产业基础。第二代半导体以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 为代表，主要应用于通信领域，用于制作高性能微波、毫米波及发光器件，奠定了信息产业基础。随着技术发展和应用需要的不断延伸，二者的局限性逐渐体现出来，难以满足高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化等使用需求。以碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿电压高、热导率高、载流子饱和漂移速度大等特点，其制作的电子器件可在 300°C 甚至更高温度下稳定工作 (又称为功率半导体或高温半导体)，是固态光源 (如 LED)、激光器 (LD)、电力电子 (如IGBT)、聚焦光伏 (CPV)、微波射频 (RF) 等器件的“核芯”，在半导体照明、汽车电子、新一代移动通信 (5G)、新能源与新能源汽车、高速轨道交通、消费类电子等领域具有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，在光电器件、电力电子、汽车电子、航空航天、深井钻探等领域具有重要应用价值，对节能减排、产业转型升级、催生新经济增长点将发挥重要作用。

　　伴随着功率器件 (包括 LED、LD、IGBT、CPV 等) 不断发展，散热成为影响器件性能与可靠性的关键技术。对于电子器件而言，通常温度每升高 10°C，器件有效寿命就降低 30% ~ 50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展功率器件的技术瓶颈。以大功率 LED 封装为例，由于输入功率的 70% ~ 80% 转变成为热量 (只有约 20% ~ 30% 转化为光能)，且 LED 芯片面积小，器件功率密度很大 (大于 100 W/cm2)，因此散热成为大功率 LED 封装必须解决的关键问题。如果不能及时将芯片发热导出并消散，大量热量将聚集在 LED 内部，芯片结温将逐步升高，一方面使 LED 性能降低 (如发光效率降低、波长红移等)，另一方面将在 LED 器件内部产生热应力，引发一系列可靠性问题 (如使用寿命、色温变化等)。

　　随着功率器件特别是第三代半导体的崛起与应用，半导体器件逐渐向大功率、小型化、集成化、多功能等方向发展，对封装基板性能也提出了更高要求。陶瓷基板 (又称陶瓷电路板) 具有热导率高、耐热性好、热膨胀系数低、机械强度高、绝缘性好、耐腐蚀、抗辐射等特点，在电子器件封装中得到广泛应用。本文分析了常用陶瓷基片材料 (包括 Al2O3、AlN、Si3N4、BeO、SiC 和 BN 等) 的物理特性，重点对各种陶瓷基板 (包括薄膜陶瓷基板 TFC、厚膜印刷陶瓷基板 TPC、直接键合陶瓷基板 DBC、直接电镀陶瓷基板 DPC、活性金属焊接陶瓷基板AMB、激光活化金属陶瓷基板 LAM 以及各种三维陶瓷基板等) 。

　　陶瓷基板又称陶瓷电路板，包括陶瓷基片和金属线路层。对于电子封装而言，封装基板起着承上启下，连接内外散热通道的关键作用，同时兼有电互连和机械支撑等功能。陶瓷具有热导率高、耐热性好、机械强度高、热膨胀系数低等优势，是功率半导体器件封装常用的基板材料。根据封装结构和应用要求，陶瓷基板可分为平面陶瓷基板和三维陶瓷基板两大类。

　　薄膜陶瓷基板一般采用溅射工艺直接在陶瓷基片表面沉积金属层。如果辅助光刻、显影、刻蚀等工艺，还可将金属层图形化制备成线 所示。由于溅射镀膜沉积速度低 (一般低于 1 μm/h)，因此 TFC 基板表面金属层厚度较小 (一般小于 1 μm)，可制备高图形精度 (线 μm) 陶瓷基板，主要应用于激光与光通信领域小电流器件封装。

　　通过丝网印刷将金属浆料涂覆在陶瓷基片上，干燥后经高温烧结 (温度一般在 850°C ~ 900°C) 制备 TPC 基板，其工艺流程如图 7 所示。根据金属浆料粘度和丝网网孔尺寸不同，制备的金属线 μm (提高金属层厚度可通过多次丝网印刷实现)。TFC 基板制备工艺简单，对加工设备和环境要求低，具有生产效率高、制造成本低等优点。但是，由于丝网印刷工艺限制，TFC 基板无法获得高精度线路 (最小线 μm)。此外，为了降低烧结温度，提高金属层与陶瓷基片结合强度，通常在金属浆料中添加少量玻璃相，这将降低金属层电导率和热导率。因此 TPC 基板仅在对线路精度要求不高的电子器件 (如汽车电子) 封装中得到应用。TPC 基板样品及其截面图如图 8 所示。

　　目前 TPC 基板关键技术在于制备高性能金属浆料。金属浆料主要由金属粉末、有机载体和玻璃粉等组成。浆料中可供选择的导体金属有 Au、Ag、Ni、Cu 和 Al 等。银基导电浆料因其具有较高的导电、导热性能及相对低廉的价格而应用广泛 (占金属浆料市场 80% 以上份额)。研究表明，银颗粒粒径颗粒粒径、形貌等对导电层性能影响很大。如Park等人通过加入适量纳米银颗粒降低了银浆电阻率:Zhou等人指出金属层电阻率随着球状银颗粒尺寸减小而降低,片状银粉(尺寸6m)制备的金属浆料电阻率远小于同样尺寸球状银粉制备的浆料。

　　DBC陶瓷基板制备首先在铜箔(Cu)和陶瓷基片(Al2O3或AN间引入氧元素,然后在1065°C形成CuO共晶相(金属铜熔点为1083°C),进而与陶瓷基片和铜箔发生反应生成CuAO2或Cu(AO2)2,实现铜箔与陶瓷间共晶键合,其制备工艺和产品分别如图9和图10所示。由于陶瓷和铜具有良好的导热性，且铜箔与陶瓷间共晶键合强度高，因此DBC基板具有较高的热稳定性，已广泛应用于绝缘栅双极二极管(GBT)、激光器(LD)和聚焦光伏(CPV)等器件封装散热中。

　　DBC基板铜箔厚度较大(一般为100μm-600μm)，可满足高温、大电流等极端环境下器件封装应用需求(为降低基板应力与制曲，一船采用C1-A1O2C的三明治结构.日上下铜层厚度相同)

　　虽然DBC基板在实际应用中有诸多优势，但在制备过程中要严格控制共晶温度及氧含量，对设备和工艺控制要求较高，生产成本也较高。

　　此外，由于厚铜刻蚀限制，无法制备出高精度线路层在DBC基板制备过程中，氧化时间和氧化温度是最重要的两个参数。铜箔经预氧化后，键合界面能形成足够 CuxOy 相润湿 Al2O3 陶瓷与铜箔，具有较高的结合强度；若铜箔未经过预氧化处理，CuxOy 润湿性较差，键合界面会残留大量空洞和缺陷，降低结合强度及热导率。对于采用 AlN 陶瓷制备 DBC 基板，还需对陶瓷基片进行预氧化，先生成 Al2O3 薄膜，再与铜箔发生共晶反应。谢建军等人用 DBC 技术制备 Cu/Al2O3、Cu/AlN 陶瓷基板，铜箔和 AlN 陶瓷间结合强度超过 8 N/mm，铜箔和 AlN 间存在厚度为 2 μm 的过渡层，其成分主要为 Al2O3、CuAlO2 和 Cu2O。

　　目前，制备活性焊料是 AMB 基板制备关键技术。活性焊料的最初报道是 1947 年 Bondley 采用TiH2 活性金属法连接陶瓷与金属，在此基础上，Bender 等人提出 Ag-Cu-Ti 活性焊接法。活性焊料主要分为高温活性焊料 (活性金属为 Ti、V 和 Mo 等，焊接温度 1000°C ~ 1250°C)、中温活性焊料(活性金属为 Ag-Cu-Ti，焊接温度 700°C ~ 800°C，保护气体或真空下焊接) 和低温活性焊料 (活性金属为 Ce、Ga 和 Re，焊接温度 200°C ~ 300°C)。中高温活性焊料成分简单，操作容易，焊接界面机械强度高，在金属-陶瓷焊接中得到广泛应用。Naka 等人分别采用 Cu60Ti34 活性焊料焊接 Si3N4陶瓷和 NiTi50 活性焊料焊接 SiC，前者室温下焊接界面剪切强度达到 313.8 MPa，而后者在室温、300°C和 700°C 时的焊接界面剪切强度分别为 158 MPa、316 MPa 和 260 MPa。

　　由于 DBC 陶瓷基板制备工艺温度高，金属-陶瓷界面应力大，因此 AMB 技术越来越受到业界关注，特别是采用低温活性焊料。如 Chang 等人使用 Sn3.5Ag4Ti(Ce，Ga) 活性焊料在 250°C 下分别实现了 ZnS-SiO2、ITO 陶瓷以及 Al2O3 陶瓷与 Cu 层焊接；Tsao 等人使用 Sn3.5Ag4Ti(Ce) 活性焊料实现了 Al 与微亚弧氧化铝 (MAO-Al) 间焊接。

　　DPC 陶瓷基板制备工艺如图 13 所示。首先利用激光在陶瓷基片上制备通孔 (孔径一般为 60 μm ~ 120 μm)，随后利用超声波清洗陶瓷基片；采用磁控溅射技术在陶瓷基片表面沉积金属种子层 (Ti/Cu)，接着通过光刻、显影完成线路层制作；采用电镀填孔和增厚金属线路层，并通过表面处理提高基板可焊性与抗氧化性，最后去干膜、刻蚀种子层完成基板制备。

　　从图 13 可以看出，DPC 陶瓷基板制备前端采用了半导体微加工技术 (溅射镀膜、光刻、显影等)，后端则采用了印刷线路板 (PCB) 制备技术 (图形电镀、填孔、表面研磨、刻蚀、表面处理等)，技术优势明显。具体特点包括：(1) 采用半导体微加工技术，陶瓷基板上金属线路更加精细 (线 μm，与线路层厚度相关)，因此 DPC 基板非常适合对准精度要求较高的微电子器件封装；(2) 采用激光打孔与电镀填孔技术，实现了陶瓷基板上/下表面垂直互联，可实现电子器件三维封装与集成，降低器件体积，如图 14 (b) 所示；(3) 采用电镀生长控制线 μm)，并通过研磨降低线路层表面粗糙度，满足高温、大电流器件封装需求；(4) 低温制备工艺 (300°C 以下) 避免了高温对基片材料和金属线路层的不利影响，同时也降低了生产成本。综上所述，DPC 基板具有图形精度高，可垂直互连等特性，是一种真正的陶瓷电路板。

　　但是，DPC 基板也存在一些不足：(1) 金属线路层采用电镀工艺制备，环境污染严重；(2) 电镀生长速度低，线路层厚度有限 (一般控制在 10 μm ~ 100 μm)，难以满足大电流功率器件封装需求。目前 DPC 陶瓷基板主要应用于大功率 LED 封装，生产厂家主要集中在我国台湾地区，但从 2015 年开始大陆地区已开始实现量产。

　　金属线路层与陶瓷基片的结合强度是影响 DPC 陶瓷基板可靠性的关键。由于金属与陶瓷间热膨胀系数差较大，为降低界面应力，需要在铜层与陶瓷间增加过渡层，从而提高界面结合强度。由于过渡层与陶瓷间的结合力主要以扩散附着及化学键为主，因此常选择 Ti、Cr 和 Ni 等活性较高、扩散性好的金属作为过渡层 (同时作为电镀种子层)。Lim 等人采用 50 W 的 Ar 等离子束对 Al2O3 基片清洗 10 min，随后再溅射 1 μm ± 0.2 μm 的铜薄膜，二者粘结强度高于 34 MPa，而未进行等离子清洗的基片与铜薄膜的粘结强度仅为 7 MPa。占玙娟在溅射 Ti/Ni (其厚度分别为 200 nm 与 400 nm)薄膜之前，采用 600 eV、700 mA 的低能离子束对 AlN 陶瓷基片清洗 15 min，所得到的金属薄膜与陶瓷基片的粘结强度大于 30 MPa。可以看出，对陶瓷基片进行等离子清洗可大大提高与金属薄膜间的结合强度，这主要是因为：(1) 离子束去除了陶瓷基片表面的污染物；(2) 陶瓷基片因受到离子束的轰击而产生悬挂键，与金属原子结合更紧密。

　　电镀填孔也是 DPC 陶瓷基板制备的关键技术。目前 DPC 基板电镀填孔大多采用脉冲电源，其技术优势包括：(1) 易于填充通孔，降低孔内镀层缺陷；(2) 表面镀层结构致密，厚度均匀；(3) 可采用较高电流密度进行电镀，提高沉积效率。陈珍等人采用脉冲电源在 1.5 ASD 电流密度下电镀2 h，实现了深宽比为 6.25 的陶瓷通孔无缺陷电镀。但脉冲电镀成本高，因此近年来新型直流电镀又重新得到重视，通过优化电镀液配方 (包括整平剂、抑制剂等)，实现盲孔或通孔高效填充。如林金堵等人通过优化电镀添加剂、搅拌强度及方式和电流参数，实现了通孔与盲孔电镀。

　　LAM 基板制备利用特定波长的激光束选择性加热活化陶瓷基片表面，随后通过电镀/化学镀完成线路层制备，工艺流程如图 15 (a) 所示。其技术优势包括：(1) 无需采用光刻、显影、刻蚀等微加工工艺，通过激光直写制备线路层，且线宽由激光光斑决定，精度高 (可低至 10 μm ~ 20 μm)，如图 15 (b) 所示；(2) 可在三维结构陶瓷表面制备线路层，突破了传统平面陶瓷基板金属化的限制，如图 15 (c) 所示；(3) 金属层与陶瓷基片结合强度高，线路层表面平整，粗糙度在纳米级别。从上可以看出，虽然 LAM 技术可在平面陶瓷基板或立体陶瓷结构上加工线路层，但其线路层由激光束“画”出来，难以大批量生产，导致价格极高，目前主要应用在航空航天领域异型陶瓷散热件加工。

　　高/低温共烧陶瓷基板 (HTCC/LTCC)：HTCC 基板制备过程中先将陶瓷粉 (Al2O3 或 AlN) 加入有机黏结剂，混合均匀后成为膏状陶瓷浆料，接着利用刮刀将陶瓷浆料刮成片状，再通过干燥工艺使片状浆料形成生胚；然后根据线路层设计钻导通孔，采用丝网印刷金属浆料进行布线和填孔，最后将各生胚层叠加，置于高温炉 (1600°C) 中烧结而成，如图 16 所示。由于 HTCC 基板制备工艺温度高，因此导电金属选择受限，只能采用熔点高但导电性较差的金属 (如 W、Mo 及 Mn 等)，制作成本较高。此外，受到丝网印刷工艺限制，HTCC 基板线路精度较差，难以满足高精度封装需求。但 HTCC 基板具有较高机械强度和热导率 [20 W/(m·K) ~ 200 W/(m·K)]，物化性能稳定，适合大功率及高温环境下器件封装，如图 17 (a) 所示。Cheah 等人将 HTCC 工艺应用于微型蒸汽推进器，制备的微型加热器比硅基推进器效率更高，能耗降低 21%以上。

　　为了降低 HTCC 制备工艺温度，同时提高线路层导电性，业界开发了 LTCC 基板。与 HTCC 制备工艺类似，只是 LTCC 制备在陶瓷浆料中加入了一定量玻璃粉来降低烧结温度，同时使用导电性良好的 Cu、Ag 和 Au 等制备金属浆料，如图 17 (b) 所示。LTCC 基板制备温度低，但生产效率高，可适应高温、高湿及大电流应用要求，在军工及航天电子器件中得到广泛应用。Yuan 等人选用CaO-BaO-Al2O3-B2O3-SiO2/AlN 体系原料，当 AlN 组分含量为 40% 时，研制的 LTCC 基板热导率为 5.9W/(m·K)，介电常数为 6.3，介电损耗为 4.9 × 10-3，弯曲强度高达 178 MPa。Qing 等人采用Li2O-Al2O3-SiO2/Al2O3 体系原料，制备的 LTCC 基板抗弯强度为 155 MPa，介电损耗为 2.49 × 10-3。

　　虽然 LTCC 基板具有上述优势，但由于在陶瓷浆料中添加了玻璃粉，导致基板热导率偏低 [一般仅为 3 W/(m·K) ~ 7 W/(m·K)]。此外，与 HTCC 一样，由于 LTCC 基板采用丝网印刷技术制作金属线路，有可能因张网问题造成对位误差，导致金属线路层精度低；而且多层陶瓷生胚叠压烧结时还存在收缩比例差异问题，影响成品率，一定程度上制约了 LTCC 基板技术发展。Yan 等人经过表面处理将 LTCC 基板翘曲由 150 μm ~ 250 μm 降低至 80 μm ~ 110 μm；Sim 等人通过改进 LTCC基板封装形式，去掉芯片与金属基底间绝缘层，模拟和实验结果显示其热阻降低为 7.3 W/(m·K)，满足大功率 LED 封装需求。

　　与 HTCC/LTCC 基板一次成型制备三维陶瓷基板不同，台湾阳升公司采用多次烧结法制备了 MSC 基板。其工艺流程如图 18 所示，首先制备厚膜印刷陶瓷基板(TPC)，随后通过多次丝网印刷将陶瓷浆料印刷于平面 TPC 基板上，形成腔体结构，再经高温烧结而成，得到的 MSC 基板样品如图 19 所示。由于陶瓷浆料烧结温度一般在 800°C 左右，因此要求下部的 TPC 基板线路层必须能耐受如此高温，防止在烧结过程中出现脱层或氧化等缺陷。由上文可知，TPC 基板线路层由金属浆料高温烧结 (一般温度为 850°C ~ 900°C) 制备，具有较好的耐高温性能，适合后续采用烧结法制备陶瓷腔体。MSC 基板技术生产设备和工艺简单，平面基板与腔体结构独立烧结成型，且由于腔体结构与平面基板均为无机陶瓷材料，热膨胀系数匹配，制备过程中不会出现脱层、翘曲等现象。其缺点在于，下部 TPC 基板线路层与上部腔体结构均采用丝网印刷布线，图形精度较低；同时，因受丝网印刷工艺限制，所制备的 MSC 基板腔体厚度 (深度) 有限。因此MSC 三维基板仅适用于体积较小、精度要求不高的电子器件封装。

　　上述 HTCC、LTCC 及 MSC 基板线路层都采用丝网印刷制备，精度较低，难以满足高精度、高集成度封装要求，因此业界提出在高精度 DPC 陶瓷基板上成型腔体制备三维陶瓷基板。由于 DPC 基板金属线°C) 下会出现氧化、起泡甚至脱层等现象，因此基于 DPC 技术的三维陶瓷基板制备必须在低温下进行。台湾瑷司柏公司 (ICP) 提出采用胶粘法制备三维陶瓷基板，样品如图 20 所示。首先加工金属环和 DPC 陶瓷基板，然后采用有机粘胶将金属环与 DPC 基板对准后粘接、加热固化，如图 21 所示。由于胶液流动性好，因此涂胶工艺简单，成本低，易于实现批量生产，且所有制备工艺均在低温下进行，不会对 DPC 基板线路层造成损伤。但是，由于有机粘胶耐热性差，固化体与金属、陶瓷间热膨胀系数差较大，且为非气密性材料，目前 DAC 陶瓷基板主要应用于线路精度要求较高，但对耐热性、气密性、可靠性等要求较低的电子器件封装。

　　为了解决上述不足，业界进一步提出采用无机胶替代有机胶的粘接技术方案，大大提高了 DAC三维陶瓷基板的耐热性和可靠性。其技术关键是选用无机胶，要求其能在低温 (低于 200°C) 下固化；固化体耐热性好 (能长期耐受 300°C 高温)，与金属、陶瓷材料粘接性好 (剪切强度大于 10 MPa)，同时与金属环 (围坝) 和陶瓷基片材料热膨胀系数匹配 (降低界面热应力)。美国科锐公司 (Cree) XRE 系列产品封装基板既采用了该技术方案，如图 22。

　　为了发挥 DPC 陶瓷基板技术优势 (高图形精度、垂直互连等)，吴朝晖等人提出采用多次/层电镀增厚技术，在 DPC 陶瓷基板上直接制备具有厚铜围坝结构的三维陶瓷基板，如图 23 (a) 所示。其制备工艺与 DPC 基板类似，只是在完成平面 DPC 基板线路层加工后，再通过多次光刻、显影和图形电镀完成围坝制备 (厚度一般为 500μm ~ 700 μm)，如图 24 所示。需要指出的是，由于干膜厚度有限 (一般为 50 μm ~ 80 μm)，需要反复进行光刻、显影、图形电镀等工艺；同时为了提高生产效率，需要在电镀增厚围坝时提高电流密度，导致镀层表面粗糙，需要不断进行研磨，保持镀层表面平整与光滑。

　　MPC 基板采用图形电镀工艺制备线路层，避免了HTCC/LTCC 与 TPC 基板线路粗糙问题，满足高精度封装要求。陶瓷基板与金属围坝一体化成型为密封腔体，结构紧凑，无中间粘结层，气密性高。MPC 基板整体为全无机材料，具有良好的耐热性，抗腐蚀、抗辐射等。金属围坝结构形状可以任意设计，围坝顶部可制备出定位台阶，便于放置玻璃透镜或盖板，目前已成功应用于深紫外 LED封装和 VCSEL 激光器封装，已部分取代 LTCC 基板。其缺点在于：由于干膜厚度限制，制备过程需要反复进行光刻、显影、图形电镀与表面研磨，耗时长 (厚度为 600 μm 围坝需要电镀 10 h 以上)，生产成本高；此外，由于电镀围坝铜层较厚，内部应力大，MPC 基板容易翘曲变形，影响后续的芯片封装质量与效率。

　　为了提高三维陶瓷基板生产效率，同时保证基板线路精度与可靠性，陈明祥等人提出制备含免烧陶瓷围坝的三维陶瓷基板，其样品如图 25 所示。为了制备具有高结合强度、高耐热性的陶瓷围坝，实验采用碱激发铝硅酸盐浆料(alkali-activated aluminosilicate cement paste， ACP) 作为围坝结构材料。围坝由偏高岭土在碱性溶液中脱水缩合而成，具有低温固化、耐热性好 (可长期耐受 500°C 高温)、与金属/陶瓷粘接强度高、抗腐蚀，物化性能稳定等优点，满足电子封装应用需求。DMC 基板制备工艺流程如图 26 所示，首先制备平面 DPC 陶瓷基板，同时制备带孔橡胶模具；将橡胶模具与 DPC 陶瓷基板对准合模后，向模具腔内填充牺牲模材料；待牺牲模材料固化后，取下橡胶模具，牺牲模粘接于 DPC 陶瓷基板上，并精确复制橡胶模具孔结构特征，作为铝硅酸盐浆料成型模具；随后将铝硅酸盐浆料涂覆于 DPC 陶瓷基板上并刮平，加热固化，最后将牺牲模材料腐蚀，得到含铝硅酸盐免烧陶瓷围坝的三维陶瓷基板。

　　铝硅酸盐浆料固化温度低，对 DPC 陶瓷基板线路层影响极小，并与 DPC 基板制备工艺兼容。橡胶具有易加工、易脱模以及价格低廉等特点，能精确复制围坝结构 (腔体) 形状与尺寸，保证围坝加工精度。实验结果表明，腔体深度、直径加工误差均小于 30 μm，说明该工艺制备的三维陶瓷基板精度高，重复性好，适合量产。铝硅酸盐浆料加热后脱水缩合，主要产物为无机聚合物，其耐热性好，热膨胀系数与陶瓷基片匹配，具有良好的热稳定性；固化体与陶瓷、金属粘接强度高，制备的三维陶瓷基板可靠性高。围坝厚度 (腔体高度) 取决于模具厚度，理论上不受限制，可满足不同结构和尺寸的电子器件封装要求。

　　表 3 比较了上述不同三维陶瓷基板性能的一些基本性能。与表 2 重复或类似的数据不再列入。

　　陶瓷基板集成化：一般而言，TPC、DBC 和 AMB 陶瓷基板只适合制备单面线路层 (或双面线路层，但上下层不导通)BEAT365官方网站。如果要实现上下层导通，需要先激光打孔 (孔径一般大于 200 μm)，然后孔内填充金属浆料后烧结而成，孔内金属层导电、导热性差，基板可靠性低。HTCC/LTCC 基板采用多层生胚片叠加 (金属通孔对准) 后烧结制备，因此可实现基板内垂直互连，提高封装集成度，但HTCC/LTCC 基板电阻率较大，电流通载能力较低。DPC 陶瓷基板可以采用激光打孔 (孔径一般为60 μm ~ 120 μm) 和电镀填孔技术制备金属通孔，由于孔内电镀填充致密铜柱，导电导热性能优良，因而可实现陶瓷基板上下线路层垂直互连。在此基础上，通过电镀增厚等技术制备围坝，可得到含围坝结构的三维陶瓷基板；如果采用焊接/粘接技术实现多片 DPC 基板垂直集成，则可以进一步得到多层陶瓷基板 (Multilayer Ceramic Substrate， MLC，如图 37)，满足功率器件三维封装和异质集成需求。

　　以上是小编分享的陶瓷基板的7大技术工艺类型，阐述了工艺的流程和特点，陶瓷基板逐渐往高功率、高集成化、高精密、精细化方方向发展。对技术的要求越来越高，也讲促进陶瓷基板不断上进。更多陶瓷基板pcb问题可以咨询金瑞欣特种电路。返回搜狐，查看更多