光刻胶作为集成电路制备中不可或缺的一部分,已成为国家的战略资源之一。半导体光刻胶的核心在于成膜树脂,受限于研发难度大、专利壁垒高、资金投入多、准入门槛高,目前国内企业尚难以突破KrF胶(248 nm)或ArF胶(193 nm),而EUV胶完全不能自主供给。
本项技术采用了国际最前沿的纳米氧化物团簇材料的工艺路线nm小分子的光刻胶成膜树脂材料,攻克了材料合成和纳米材料提纯的难题,可满足目前半导体3nm制程节点的技术要求,RLS分辨率、边缘粗糙度、灵敏度三项关键性能指标优异,其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外,本项技术具有多种半导体光刻胶兼容性,可以生产248nm和193nm光源的半导体光刻胶成膜树脂,以及电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂,具有广阔的技术替代优势和市场应用前景。
本项技术成果涉及10余项发明专利,其中3项已授权,7项申请中。此外,已申请PCT国际专利6项。
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